|
0805 1800ПФ X7R 50В 10% 0805B182K500NT
|
Fenghua
|
3350
|
0,04
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 6800ПФ X7R 50В 10% 0805B682K500NT
|
Fenghua
|
3430
|
0,04
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 X7R 100V 6800 PF K (GRM216R72A682KAC4D)
|
б/г MURATA 3000
|
2500
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 X7R 100V 6800 PF K (GRM219R72A682KA01D)
|
б/г MURATA 4000
|
3300
|
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 1800ПФ X7R 50В 10% CL21B182KBANNNC
|
Samsung
|
2700
|
0,06
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
0805 6800ПФ X7R 50В 10% CL21B682KBANNNC
|
Samsung
|
76
|
0,07
|
12.01.2024 12:12:29
|
|
|
|
К10-17Б Х7R 1800ПФ 50В 10% 0805B182K500
|
ETHER
|
1172
|
0,24
|
12.01.2024 12:10:26
|
|
|
|
К10-17Б Х7R 6800ПФ 50В 10% 0805B682K500
|
ETHER
|
1574
|
0,20
|
12.01.2024 12:10:26
|
|
|
|
РЕЗИСТОРЫ * 0805 1% 82K5 (5000 шт.)
|
|
2
|
39,72
|
09.01.2024 12:20:08
|
|
|
|
РЕЗИСТОРЫ * 0805 1% 182K (5000 шт.)
|
|
1
|
34,75
|
09.01.2024 12:20:08
|
|
|
|
к10-17б Х7R 1800пф 50в 10% 0805B182K500
|
ETHER
|
1172
|
0,15
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
к10-17б Х7R 6800пф 50в 10% 0805B682K500
|
ETHER
|
1574
|
0,12
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% CL21B182KBANNNC
|
Samsung
|
2700
|
0,04
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 6800пф X7R 50в 10% CL21B682KBANNNC
|
Samsung
|
76
|
0,03
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 6800пф X7R 50в 10% 0805B682K500NT
|
Fenghua
|
3430
|
0,03
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
0805 1800пф X7R 50в 10% 0805B182K500NT
|
Fenghua
|
3350
|
0,03
|
04.10.2023 12:31:31
|
|
|
|
RC0805FR-0782KL-0805-82 КОМ-1% ЧИП резистор
|
YAGEO
|
50
|
0,20
|
19.09.2023 11:01:19
|
|
|
|
RC0805JR-0782KL-0805-82 КОМ-5% ЧИП резистор
|
YAGEO
|
5367
|
0,20
|
19.09.2023 11:01:19
|
|
|
|
RC0805FR-0782K5L-0805-82,5 КОМ-1% ЧИП резистор
|
|
1990
|
0,30
|
19.09.2023 11:01:19
|
|
|
|
08051C682KAT2A-0805-6800 пф-10% X7R 100В ЧИП конденсатор
|
AVX Corporation
|
3758
|
0,20
|
19.09.2023 11:01:19
|
|
|
